亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

忱芯科技申請(qǐng)?zhí)蓟?span id="hv9pfxx" class="highlight">功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)板和測(cè)試方法專利

賽米控丹佛斯半導(dǎo)體功率模塊項(xiàng)目竣工驗(yàn)收

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

復(fù)錦功率半導(dǎo)體完成A輪融資，湖北晟賢股權(quán)投資領(lǐng)投

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長(zhǎng)主要受益于頭部客戶需求增加及國(guó)產(chǎn)替代的需求

芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目加速推進(jìn)，預(yù)計(jì)明年1月竣工

助力汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2025 廣州國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)與您相約“羊城”廣州

安森美發(fā)布升級(jí)版功率模塊，助力太陽(yáng)能發(fā)電和儲(chǔ)能的發(fā)展

芯華睿半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項(xiàng)目量產(chǎn)

利普思半導(dǎo)體“一種功率模塊結(jié)構(gòu)”專利公布

皇庭國(guó)際對(duì)意發(fā)功率生產(chǎn)線升級(jí)，多套先進(jìn)設(shè)備順利投產(chǎn)

機(jī)構(gòu)：2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元

納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅MOSFETs，專為AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車等大功率場(chǎng)景打造

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

英飛凌最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠在馬來(lái)西亞啟用

立芯光電推出1470nm高功率半導(dǎo)體激光二極管芯片

惠科深圳計(jì)劃投建6英寸新能源功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

中晶科技:已在國(guó)內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導(dǎo)體功率芯片及器件領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場(chǎng)地位

華潤(rùn)微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計(jì)下半年可實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)

華光光電申請(qǐng)一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權(quán)

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2034年將增至110.8億美元

第3頁(yè)/共36頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部