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吉利科技旗下晶能微電子車(chē)規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)

2023年第二屆先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)教融合人才發(fā)展論壇成功舉辦

IFWS& SSLCHINA盛大開(kāi)幕—“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)教融合人才培養(yǎng)工程”成功啟動(dòng)

有研硅成功開(kāi)發(fā)8英寸區(qū)熔硅單晶

東南大學(xué)集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院成功獲批省級(jí)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)學(xué)院

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體芯片材料成功下線

OPPO芯片研發(fā)中心項(xiàng)目用地成功摘牌，投資總額45億元

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

重大突破 | 國(guó)內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)6英寸碳化硅晶體研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

晶盛機(jī)電：已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

鍇威特科創(chuàng)板成功過(guò)會(huì)

蘇州立琻半導(dǎo)體光電化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)基地一期廠房成功落成

新突破！四維圖新智芯車(chē)規(guī)級(jí)MCU芯片AC7802x一次性成功點(diǎn)亮

晶盛機(jī)電：已成功長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，6英寸產(chǎn)品已通過(guò)部分客戶驗(yàn)證

安徽省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研究中心成功獲批

順義區(qū)半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)企業(yè)有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功在科創(chuàng)板上市

干貨| 第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)在深圳成功召開(kāi)

國(guó)磊半導(dǎo)體成功發(fā)布GT600半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

士蘭微：士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功

士蘭微：士蘭明鎵SiC產(chǎn)線已初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功

中穎電子正在研發(fā)車(chē)規(guī)級(jí)MCU，已流片成功在驗(yàn)證階段

半導(dǎo)體設(shè)備廠商富創(chuàng)精密成功上市，大漲64.47%

先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＞匦庐a(chǎn)業(yè)學(xué)院項(xiàng)目發(fā)布及解讀會(huì)成功召開(kāi)

源杰科技成功過(guò)會(huì)，擬募資9.8億元用于光芯片建設(shè)

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競(jìng)爭(zhēng)力

第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)成功召開(kāi)

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