亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

泰高技術與鎵宏半導體一同致力于氮化鎵外延片領域的全面戰(zhàn)略推進

日企新技術可將氮化鎵成本降低9成市場應用空間望打開

蔚來增持晶湛半導體，或加碼氮化鎵外延技術應用上車

格恩半導體規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片

格恩半導體規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片

規(guī)模量產(chǎn)！格恩半導體發(fā)布十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品

英諾賽科宣布氮化鎵出貨量突破3億顆

英諾賽科氮化鎵出貨量突破3億顆！

三星購買愛思強MOCVD設備用于氮化鎵、碳化硅生產(chǎn)

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

西安電子科技大學許晟瑞：襯底工程對氮化物LED的影響研究

西安電子科技大學許晟瑞：襯底工程對氮化物LED的影響研究

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

萊特葳芯半導體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術研究進展

CASICON西安站前瞻|西安交通大學陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學特性的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

華潤微：2023年IGBT產(chǎn)品營收目標是10億元，碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品營收力爭上億

納微聯(lián)手重力星球發(fā)布全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器

預計：到2028年全球氮化鎵射頻器件市場價值將達到27億美元

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展

安世半導體副總裁 Carlos Castro：氮化鎵功率電子器件和典型應用

英飛凌牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃預算6000萬歐元發(fā)力氮化鎵功率器件

新微半導體40V增強型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體技術進展探討

半導體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導體的兩大挑戰(zhàn)

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導體的兩大挑戰(zhàn)

Yole ：2027 年氮化鎵功率半導體器件市場規(guī)模將增至 20 億美元

颶芯科技氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線柳州正式投產(chǎn)

國內(nèi)首條！颶芯科技氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線正式投產(chǎn)

第4頁/共11頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部