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安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

中微半導(dǎo)體設(shè)備申請(qǐng)雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法專利

上海漢虹申請(qǐng)一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動(dòng)蝶閥專利

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

重慶芯聯(lián)微電子申請(qǐng)掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導(dǎo)體申請(qǐng)光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

智芯微“用于電源監(jiān)測(cè)的嵌入式系統(tǒng)、解碼方法和解碼芯片”專利公布

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實(shí)現(xiàn)自由設(shè)計(jì)倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

蘇州敏芯微電子申請(qǐng)力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問(wèn)題

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

中芯國(guó)際申請(qǐng)光刻機(jī)焦距監(jiān)控相關(guān)專利，實(shí)現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對(duì)產(chǎn)品晶圓圖形影響小

華海清科“驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進(jìn)氣管的清洗方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測(cè)基板”專利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測(cè)電路”專利獲授權(quán)

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請(qǐng)氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

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