亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<button id="ucpfc"><option id="ucpfc"></option></button>

<label id="ucpfc"><strong id="ucpfc"><cite id="ucpfc"></cite></strong></label>

<button id="ucpfc"><form id="ucpfc"></form></button>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

中科飛測“光束整形系統(tǒng)”專利公布

格蘭菲申請功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

通富微電“半導(dǎo)體測試系統(tǒng)的控制方法及半導(dǎo)體測試系統(tǒng)”專利公布

廈門三安集成電路申請射頻功率放大器相關(guān)專利

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動板和測試方法專利

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

長宇科技取得一項外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

晶合集成申請一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

揚杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

浙江奧首材料科技申請一種用于半導(dǎo)體化合物光刻膠的剝離液專利，減少剝離液中的腐蝕

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運裝置及晶圓搬運方法”

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

福建平潭瑞謙智能科技取得一種用于半導(dǎo)體模塊封裝的視覺檢測設(shè)備專利

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

揚杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

第4頁/共10頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<label id="vmkfg"></label>

<mark id="vmkfg"></mark>