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廣東中圖半導體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海積塔半導體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結構相關專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

泰科天潤“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權

芯聯(lián)集成“一種半導體結構及其形成方法”專利公布

新美光“襯底加熱體組件及化學氣相沉積設備”專利獲授權

泰科天潤“一種低導通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

廣東巨風半導體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導體技術取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

北方華創(chuàng)“工藝氣體噴嘴及半導體工藝腔室”專利公布

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

芯導電子“一種靜電防護結構及制備方法、半導體器件及制備方法”專利公布

聯(lián)華電子申請半導體結構以及其形成方法專利，具有特定的結構和元件排列

華虹半導體“低壓超結MOSFET的工藝方法”專利公布

南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導體申請半導體器件相關專利，使半導體器件獲得更好的散熱結構以及更低的電阻率

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