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我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項(xiàng)目投產(chǎn)

世界首個(gè)采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運(yùn)

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投資超5億元

行業(yè)Top級(jí)廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場(chǎng)

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

國(guó)宇電子功率器件項(xiàng)目簽約揚(yáng)州

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

華潤(rùn)微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計(jì)下半年可實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會(huì)議成功召開

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

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