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快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目完成60%

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

技術(shù)轉(zhuǎn)化項(xiàng)目發(fā)布：英寸級單晶金剛石襯底及其關(guān)鍵設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化

碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展

河北淶源經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)標(biāo)準(zhǔn)化科創(chuàng)園項(xiàng)目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標(biāo)準(zhǔn)廠房項(xiàng)目一期全過程審計(jì)服務(wù)公開招標(biāo)公告

西安交大王宏興教授團(tuán)隊(duì)在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得重大進(jìn)展

馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有同質(zhì)外延層的金剛石FET

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目投產(chǎn)！

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

雅吉芯半導(dǎo)體單晶材料擴(kuò)能項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)11月投產(chǎn) 總投資10億

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

山西海納年產(chǎn)750噸6英寸半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地開工總投資5.46億元

總投資5.46億元，山西海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目開工

中科院化學(xué)研究所發(fā)現(xiàn)碳家族單晶新材料

韓國8英寸SiC單晶爐實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化！

寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶襯底項(xiàng)目、Wi-Fi Halow芯片項(xiàng)目等重大項(xiàng)目落地蘇州高新區(qū)

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

奧特維科技控股子公司中標(biāo)約9000萬元單晶爐采購項(xiàng)目

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

盛美上海18腔300mm Ultra C VI單晶圓清洗設(shè)備投入量產(chǎn)

蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

云南鍺業(yè)：華為旗下哈勃投資參股的磷化銦單晶片建設(shè)項(xiàng)目投產(chǎn)

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