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總投資34.57億元！新增年產(chǎn)70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目

世紀金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭投資近35億元

論文推介丨山東大學 · Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

麥迪科技與宇澤半導體簽訂單晶硅片采購協(xié)議預計協(xié)議金額合計約21.25億元

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導體單晶材料外延范式

山東大學陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術

西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術

CASICON西安站前瞻|西安交通大學王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應晶體管研究

中科院科學家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進展

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

山西綜改示范區(qū)陽曲工業(yè)園區(qū)海納半導體單晶廠房主體封頂

海納半導體硅單晶生產(chǎn)基地項目（一期）單晶廠房主體全部封頂

中國科大制備出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

硅片“新貴”上機數(shù)控一周內(nèi)狂攬195億單晶硅片長單

山東大學教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導體呼嘯而來

海納半導體硅單晶生產(chǎn)基地項目預計6月份完工試運行

有研硅成功開發(fā)8英寸區(qū)熔硅單晶

山東大學4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標公告

山東大學4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

第25000臺單晶爐下線！晶盛機電上演高端裝備制造“加速度”

中國電科46所氮化鋁單晶材料關鍵技術取得重大突破

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