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合肥芯谷微電子微波器件及模組項(xiàng)目主廠房封頂總投資約11億元

芯谷微電子微波器件及模組項(xiàng)目主廠房封頂

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目結(jié)頂總投資22.14億元

海納股份高端功率器件用半導(dǎo)體級(jí)拋光片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式結(jié)頂

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目今日開(kāi)工

長(zhǎng)晶浦聯(lián)年產(chǎn)200億顆新型元器件項(xiàng)目，預(yù)計(jì)8月竣工驗(yàn)收

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

CASICON晶體大會(huì)前瞻|南方科技大學(xué)劉召軍:第三代半導(dǎo)體光電器件與Micro-LED新型顯示技術(shù)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：碳化硅電子器件技術(shù)若干新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

先導(dǎo)稀材激光雷達(dá)及傳感器件項(xiàng)目簽約落戶(hù)德州總投資50億元

總投資7006萬(wàn)元，新康電子12 英寸晶圓分立半導(dǎo)體器件封裝測(cè)試擴(kuò)建項(xiàng)目驗(yàn)收

杰平方半導(dǎo)體碳化硅器件進(jìn)入量產(chǎn)

總投資10億元，碳化硅半導(dǎo)體器件生產(chǎn)項(xiàng)目簽約落戶(hù)嘉善

中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體專(zhuān)利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

國(guó)內(nèi)首個(gè)6.5千伏碳化硅器件及高功率密度電力電子變壓器通過(guò)技術(shù)鑒定

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設(shè)月產(chǎn)6萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線

士蘭微增資41.5億，建設(shè)8英寸SiC功率器件制造生產(chǎn)線

捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目簽約落戶(hù)蘇錫通園區(qū)

風(fēng)華高科：已推出30余款車(chē)規(guī)級(jí)被動(dòng)元器件，出貨量持續(xù)提升

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