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氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

上應(yīng)大科研團(tuán)隊(duì)在光探測(cè)材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項(xiàng)目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”進(jìn)入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說丨化合物半導(dǎo)體器件的三大方向進(jìn)展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢(shì) |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導(dǎo)體電子分立器件制造總部項(xiàng)目簽約落戶丹灶

第十七屆誠(chéng)邀提名 | “2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”重磅開啟！

國(guó)宇電子功率器件項(xiàng)目簽約揚(yáng)州

國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

北京量子院徐洪起團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)器件研究中取得進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進(jìn)車規(guī)級(jí)寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作

【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)日程出爐

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

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