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浪潮華光參與制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

臺(tái)灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過(guò)

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落戶無(wú)錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項(xiàng)目

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購(gòu)者報(bào)價(jià)1.3億歐元

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬(wàn)片

第三代半導(dǎo)體中“慢半拍”的氮化鎵掀起并購(gòu)熱

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

我國(guó)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺(tái)通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

鼎龍股份：多晶硅拋光液及氮化硅拋光液產(chǎn)品獲千萬(wàn)元級(jí)批量訂單

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會(huì)平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊(duì)Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

總投資10億元，氮化硅材料項(xiàng)目簽約落地浙江桐鄉(xiāng)

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

萊特光電申請(qǐng)含氮化合物及有機(jī)電致發(fā)光器件和電子裝置專利

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

中國(guó)科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

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