亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码
<button id="fmhwa"></button>
<label id="fmhwa"><pre id="fmhwa"><td id="fmhwa"></td></pre></label>
<abbr id="fmhwa"><pre id="fmhwa"></pre></abbr>
<label id="fmhwa"></label>
<blockquote id="fmhwa"></blockquote>
<abbr id="fmhwa"></abbr>
<abbr id="fmhwa"><fieldset id="fmhwa"></fieldset></abbr>
<label id="fmhwa"></label>
新聞資訊
行業(yè)活動
專題聚焦
招聘求職
資料下載
視頻
天岳先進
長電科技
華為
晶盛機電
產業(yè)基地
芯
半導體
賽微電子
首頁
新聞資訊
行業(yè)活動
專題聚焦
招聘求職
資料下載
視頻
首頁
>
新聞資訊
>
搜索
綜合排序
最多點擊
最新發(fā)布
全部類別
技術
材料
產業(yè)
財經
應用
北京市委常委會召開會議
研究
國際科技創(chuàng)新中心建設重點任務等事項
評論 ?
2022-03-03 11:16
清華大學交叉信息
研究
院段路明課題組實現量子存儲器增強的非局域圖態(tài)制備
評論 ?
2022-03-01 15:45
鄭州大學物理學院在自供能多色顯示
研究
方面取得進展
評論 ?
2022-02-28 13:27
芯導科技2021年凈利同比增54.38%，氮化鎵業(yè)務及
研究
有進展
評論 ?
2022-02-24 15:45
西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新
研究
進展
評論 ?
2022-02-22 13:35
基于SiC逆變器的電動汽車永磁同步電機控制系統(tǒng)
研究
評論 ?
2022-02-22 11:15
安徽省首個量子計算工程
研究
中心獲批
評論 ?
2022-02-21 14:18
高溫溶液法生長SiC單晶的
研究
進展
評論 ?
2022-02-18 14:16
華燦光電投資成立先進半導體
研究
院
評論 ?
2022-02-18 11:36
碳化硅（SiC）行業(yè)
研究
框架：“新能半導”大時代新核“芯”
評論 ?
2022-02-18 09:05
華燦光電參股成立先進半導體
研究
院公司，注冊資本3億元
評論 ?
2022-02-17 10:03
曝三星正
研究
用于芯片生產的聚焦環(huán)新材料，考慮用 B4C 替代 SiC
評論 ?
2022-02-16 16:35
一周要聞回顧：半導體行業(yè)風起云涌，眾多公司動作頻頻，多項
研究
獲新進展
評論 ?
2022-02-11 16:11
中科院蘇州納米所團隊在石墨烯調控的氮化鎵遠程外延機理
研究
獲新進展
評論 ?
2022-02-10 09:13
R&S聯合FormFactor為得克薩斯大學奧斯汀分校
研究
5G和6G改進型射頻開關提供支持
評論 ?
2022-01-21 10:01
世界紀錄效率！南京大學現工院譚海仁團隊在《Nature》發(fā)文報道全鈣鈦礦疊層電池重要
研究
進展
評論 ?
2022-01-20 12:06
中國科大郭光燦院士團隊在硅基半導體自旋量子比特操控
研究
中取得進展
評論 ?
2022-01-20 10:48
成都岷山功率半導體技術
研究
院成立，張波教授任專家委員會理事長
評論 ?
2022-01-19 11:55
佛山廣工大
研究
院：推動半導體檢測設備國產化
評論 ?
2022-01-19 07:35
A*STAR微電子
研究
所和SOITEC合作開發(fā)200毫米低成本碳化硅半導體器件
評論 ?
2022-01-17 15:50
功率半導體產業(yè)
研究
：電動車大時代，碳化硅新世界
評論 ?
2022-01-11 13:28
聞泰科技與清華大學成立工業(yè)與車規(guī)半導體芯片聯合
研究
中心
評論 ?
2022-01-10 16:58
江蘇第三代半導體
研究
院：推動產業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升
江蘇第三代半導體研究院
第三代半導體
技術創(chuàng)新中心
評論 ?
2021-12-29 16:14
華南理工大學李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件
研究
評論 ?
2021-12-27 14:10
北京大學物理學院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質PVT生長
研究
評論 ?
2021-12-23 16:46
深圳大學物理與光電工程學院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術
研究
評論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米
研究
所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學性能
評論 ?
2021-12-23 16:38
日本產業(yè)技術綜合
研究
所沈旭強：無氨高溫 MOCVD 生長的高質量極性和半極性氮化鋁
評論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導體
研究
所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構外延
評論 ?
2021-12-23 16:25
河北半導體
研究
所高楠：國產4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質量AlGaN/GaN HEMT材料
評論 ?
2021-12-23 16:16
第
16
頁/共
23
頁
首頁
下一頁
上一頁
尾頁
聯系客服
投訴反饋
頂部
