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北京市委常委會(huì)召開(kāi)會(huì)議
研究
國(guó)際科技創(chuàng)新中心建設(shè)重點(diǎn)任務(wù)等事項(xiàng)
評(píng)論 ?
2022-03-03 11:16
清華大學(xué)交叉信息
研究
院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲(chǔ)器增強(qiáng)的非局域圖態(tài)制備
評(píng)論 ?
2022-03-01 15:45
鄭州大學(xué)物理學(xué)院在自供能多色顯示
研究
方面取得進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-28 13:27
芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%,氮化鎵業(yè)務(wù)及
研究
有進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-24 15:45
西電周弘教授:超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新
研究
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-22 13:35
基于SiC逆變器的電動(dòng)汽車永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)
研究
評(píng)論 ?
2022-02-22 11:15
安徽省首個(gè)量子計(jì)算工程
研究
中心獲批
評(píng)論 ?
2022-02-21 14:18
高溫溶液法生長(zhǎng)SiC單晶的
研究
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-18 14:16
華燦光電投資成立先進(jìn)半導(dǎo)體
研究
院
評(píng)論 ?
2022-02-18 11:36
碳化硅(SiC)行業(yè)
研究
框架:“新能半導(dǎo)”大時(shí)代新核“芯”
評(píng)論 ?
2022-02-18 09:05
華燦光電參股成立先進(jìn)半導(dǎo)體
研究
院公司,注冊(cè)資本3億元
評(píng)論 ?
2022-02-17 10:03
曝三星正
研究
用于芯片生產(chǎn)的聚焦環(huán)新材料,考慮用 B4C 替代 SiC
評(píng)論 ?
2022-02-16 16:35
一周要聞回顧:半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)起云涌,眾多公司動(dòng)作頻頻,多項(xiàng)
研究
獲新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-11 16:11
中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理
研究
獲新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-02-10 09:13
R&S聯(lián)合FormFactor為得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校
研究
5G和6G改進(jìn)型射頻開(kāi)關(guān)提供支持
評(píng)論 ?
2022-01-21 10:01
世界紀(jì)錄效率!南京大學(xué)現(xiàn)工院譚海仁團(tuán)隊(duì)在《Nature》發(fā)文報(bào)道全鈣鈦礦疊層電池重要
研究
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-01-20 12:06
中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在硅基半導(dǎo)體自旋量子比特操控
研究
中取得進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-01-20 10:48
成都岷山功率半導(dǎo)體技術(shù)
研究
院成立,張波教授任專家委員會(huì)理事長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2022-01-19 11:55
佛山廣工大
研究
院:推動(dòng)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化
評(píng)論 ?
2022-01-19 07:35
A*STAR微電子
研究
所和SOITEC合作開(kāi)發(fā)200毫米低成本碳化硅半導(dǎo)體器件
評(píng)論 ?
2022-01-17 15:50
功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
研究
:電動(dòng)車大時(shí)代,碳化硅新世界
評(píng)論 ?
2022-01-11 13:28
聞泰科技與清華大學(xué)成立工業(yè)與車規(guī)半導(dǎo)體芯片聯(lián)合
研究
中心
評(píng)論 ?
2022-01-10 16:58
江蘇第三代半導(dǎo)體
研究
院:推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升
江蘇第三代半導(dǎo)體研究院
第三代半導(dǎo)體
技術(shù)創(chuàng)新中心
評(píng)論 ?
2021-12-29 16:14
華南理工大學(xué)李國(guó)強(qiáng)教授:可見(jiàn)光通信系統(tǒng)中核心元器件
研究
評(píng)論 ?
2021-12-27 14:10
北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍:大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)
研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:46
深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊:氮化鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)
研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米
研究
所司志偉:助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:38
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合
研究
所沈旭強(qiáng):無(wú)氨高溫 MOCVD 生長(zhǎng)的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導(dǎo)體
研究
所張逸韻:玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:25
河北半導(dǎo)體
研究
所高楠:國(guó)產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:16
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