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三星電子計(jì)劃投資8英寸SiC功率半導(dǎo)體：已投入1000～2000億韓元

外媒：三星電子正在開(kāi)發(fā)8英寸SiC功率半導(dǎo)體

標(biāo)準(zhǔn)/山東大學(xué)牽頭起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

華潤(rùn)微電子將積極謀劃8英寸寬禁帶半導(dǎo)體布局

有研硅成功開(kāi)發(fā)8英寸區(qū)熔硅單晶

DISCO推出新型自動(dòng)研磨機(jī)，可加工8英寸的硅和SiC晶圓

浙江旺榮半導(dǎo)體項(xiàng)目主體工程封頂年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸功率器件

旺榮半導(dǎo)體年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸功率器件項(xiàng)目月底結(jié)頂

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長(zhǎng)能力正在推動(dòng)山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)6英寸碳化硅晶體研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

晶盛機(jī)電：已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

意法半導(dǎo)體與Soitec的下個(gè)目標(biāo)：8英寸碳化硅襯底！

晶盛機(jī)電：已成功長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，6英寸產(chǎn)品已通過(guò)部分客戶驗(yàn)證

天科合達(dá)發(fā)布8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體

天岳先進(jìn)：公司8英寸襯底開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

天岳先進(jìn)：公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競(jìng)爭(zhēng)力

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

中電科45所研制的雙8英寸全線自動(dòng)化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)線

CASA立項(xiàng)《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

龍騰8英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目新進(jìn)展

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國(guó)際差距在2~3年之內(nèi)！

碳化硅8英寸雙線圈感應(yīng)爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個(gè)新?tīng)t型

Wolfspeed預(yù)計(jì)8英寸SiC新廠2024年達(dá)產(chǎn)

東部高科將建8英寸SiC產(chǎn)線，目標(biāo)2025年供應(yīng)車(chē)用1200V SiC MOSFET

東部高科將建設(shè)8英寸碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)線

韓國(guó)8英寸SiC單晶爐實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化！

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