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中國科學院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術與集成

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍光激光器研究進展

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

納微GaNFast+GeneSiC全系亮相慕尼黑電子展

CASICON西安站前瞻|中國科學院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術與集成

CASICON 2023前瞻北京大學副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

石墨烯/GaN異質(zhì)結(jié)中的雙極性光響應及其在自由空間安全光通信中的應用研究

機構(gòu)：功率SiC和GaN生態(tài)系統(tǒng)正在經(jīng)歷重大變革

CASICON 2023前瞻|?西安電子科技大學副教授張濤：低功函數(shù)凹槽陽極結(jié)構(gòu)GaN SBD研究

南京大學在GaN基Micro LED研究領域取得新進展

意法半導體和空客達成合作，SiC和GaN將登上飛機

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

Transphorm與美國國家安全技術加速機構(gòu)簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

【CASICON 2023】湖南大學半導體學院（集成電路學院）李陽鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

材料深一度|手機快充進入個位數(shù)時代 GaN功不可沒

SNS Insider：2030年GaN半導體器件市場將達到107.3億美元

國際SiC/GaN產(chǎn)業(yè)格局或加快成型

賽微電子：GaN 業(yè)務積極推進已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進入小批量試產(chǎn)

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設計中的應用

英諾賽科發(fā)布兩款 40V VGaN 新品，均采用WLCSP封裝

標準 | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗收方法》等5項團體標準形成征求意見稿

英諾賽科VGaN助力一加Ace2發(fā)布，打造全新快充體驗

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

Yole：2027年功率 GaN 器件市場價值或達20 億美元，預期年復合增長率高達 59%

英飛凌收購GaN Systems，留給競爭對手的時間不多了！

重磅收購！英飛凌57億元收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

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