2023年5月5日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長沙開幕。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所等聯(lián)合組織。

 “平行論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”如期召開。

 “平行論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”如期召開。

 開幕大會上，泰科天潤董事長陳彤帶來大會報(bào)告，圍繞當(dāng)前碳化硅項(xiàng)目到底要建多大線的問題，分析碳化硅行業(yè)規(guī)?；l(fā)展的謎題與難題。

 開幕大會上，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事、常務(wù)副總經(jīng)理彭同華詳細(xì)分享了碳化硅材料技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與新趨勢，介紹了SiC材料制備工藝流程、SiC晶體生長方法、SiC晶體加工方法，以及6英寸SiC襯底等技術(shù)進(jìn)展。

 開幕大會上，復(fù)旦大學(xué)教授，上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、清純半導(dǎo)體董事長張清純受帶來《碳化硅器件微型化現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》的大會主題報(bào)告，詳細(xì)分享了碳化硅器件微型化解決辦法與挑戰(zhàn)，國際碳化硅器件微型化進(jìn)展等。

 開幕大會上，中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏小亮做《碳化硅芯片制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進(jìn)展》的主題報(bào)告，詳細(xì)分享裝備技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展趨勢。

 在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”分論壇上，湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）助理教授李陽鋒分享了“原位AlGaN插入層降低InGaN  LED漏電流”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經(jīng)理、首席技術(shù)官余盛杰分享了《半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件開發(fā)及應(yīng)用》的主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理鄒偉金分享了“SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，寧波恒普真空科技股份有限公司產(chǎn)品工程師胡匡分享了“碳化硅長晶用碳化鉭技術(shù)”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理劉國敬分享了“碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長孫占帥分享了“先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所基礎(chǔ)研究部高級工程師蘆偉立分享了“電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展”主題報(bào)告。

 在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”分論壇上，湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長陳峰武分享了“分子束外延設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展及展望”主題報(bào)告。

 在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”分論壇上，河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授分享了“GaN功率電子器件的物理建模與制備研究”主題報(bào)告。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長分享了碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的最新進(jìn)展。

 在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，中南大學(xué)孫國遼博士分享了高性能功率器件封裝互連方法研究的最新進(jìn)展。