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臺(tái)灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過(guò)

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落戶無(wú)錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項(xiàng)目

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購(gòu)者報(bào)價(jià)1.3億歐元

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬(wàn)片

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項(xiàng)目簽約湖南企業(yè)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺(tái)通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

鼎龍股份：多晶硅拋光液及氮化硅拋光液產(chǎn)品獲千萬(wàn)元級(jí)批量訂單

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會(huì)平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

總投資10億元，氮化硅材料項(xiàng)目簽約落地浙江桐鄉(xiāng)

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

萊特光電申請(qǐng)含氮化合物及有機(jī)電致發(fā)光器件和電子裝置專利

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開(kāi)琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大學(xué)劉雯：用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

CSPSD 2024成都前瞻 |中國(guó)科學(xué)院微電子研究所蔣其夢(mèng)：氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻|北京工業(yè)大學(xué)張亞民：面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法

年產(chǎn)3000萬(wàn)片氮化硅基板等產(chǎn)品項(xiàng)目簽約浙江嘉興總投資約52億元

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

東微半導(dǎo)申請(qǐng)氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

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