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基于新型SiC復合襯底的低成本MOSFET取得重要進展

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石增強的碳化硅氣凝膠復合材料

填補國內(nèi)空白！首條先進半導體復合襯底產(chǎn)線通線

機構：半導體需求復合年增長8.8% 技術與創(chuàng)新推動增長

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

IFWS 2023│華南師范大學尹以安：具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究

SSLCHINA2023│河北工業(yè)大學徐庶：量子點氧化物復合材料的制備及LED應用

機構預計電力和能源行業(yè)專用半導體從2022年-2027年將以8%的復合年增長率增長

報告：Micro LED市場規(guī)模2028年達8億美元，未來五年復合年增長率達70.4%

青禾晶元天津復合襯底產(chǎn)線在濱海高新區(qū)正式通線

Yole：2027年功率 GaN 器件市場價值或達20 億美元，預期年復合增長率高達 59%

青禾晶元天津復合襯底產(chǎn)線投入使用

首次突破萬億！近10年我國集成電路產(chǎn)業(yè)復合增長率19%

中微公司連續(xù)6年營收年均復合增長率大于38%，2023年達到現(xiàn)有廠房規(guī)模的15倍以上

高導熱金剛石/銅復合材料的制備與界面調(diào)控研究進展

基于微結構納米復合薄膜的超靈敏柔性壓力傳感器

東芯股份：公司總體產(chǎn)能比較樂觀，復合增長預期

Omdia：到2025年汽車用半導體行業(yè)年復合增長率將達到12.3%

北京大學王柳冰：通過引入透明復合p型層和Ag納米點/Al反射電極相結合提高深紫外LED的光提取效率

中信證券：海康威視未來3-5年有望保持超20%的復合增速

“十三五”期間南京集成電路產(chǎn)值年均復合增長率達65%

市場預測 | 射頻前端市場 2020-2025年復合增長率6%

到2026年，RF GaN市場將以30.58％的復合年增長率增長至3.574億美元

深圳第三代半導體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設計

長春光機所等研制出高靈敏度鈣鈦礦單晶-石墨烯復合垂直結構光電探測器

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