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最新關注氮化物半導體襯底與外延技術進展

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術研究

愛思強中國區(qū)副總經(jīng)理方子文：促進寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)化的關鍵外延技術

晶湛半導體總部大樓正式奠基，標志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：碳化硅襯底與外延論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化物半導體襯底與外延技術論壇最新日程出爐

西電郝躍院士團隊成功突破柔性高性能GaN半導體外延材料與器件制備技術

普興電子石家莊項目一期明年投產(chǎn) 年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅外延產(chǎn)品等

總投資40億元，中欣晶圓8英寸、12英寸外延片項目落地浙江

中欣晶圓8英寸、12英寸外延片項目落地浙江

鳳凰光學重組方案出爐轉戰(zhàn)半導體外延材料領域

北方華創(chuàng)碳化硅外延設備再獲突破

年產(chǎn)值超21億天科合達擬建碳化硅單晶和外延片生產(chǎn)線

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術進展

【CASICON 2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術

【CASICON 2021】北京大學楊學林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展

【CASICON 2021】啟迪半導體鈕應喜：碳化硅外延裝備及技術進展

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術進展

中科半導體氮化鎵外延片及單晶襯底材料研發(fā)生產(chǎn)項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈條核心：外延技術

北大物理學院量子材料科學中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質外延出準單晶氮化鎵薄膜

半導體所等在半導體材料“異構外延”研究中獲進展

國際首次，中科院院士在玻璃襯底上“異質外延”出準單晶氮化鎵薄膜

玻璃襯底上首次“異質外延”出準單晶氮化鎵薄膜

第三代半導體廠商獲阿里關聯(lián)公司入股，擬擴展6條外延片產(chǎn)線

蕪湖啟迪半導體簽署意向協(xié)議或在安徽投資SiC外延片項目

總投資6億！唐晶量子化合物半導體外延片項目開工

賽微電子：GaN外延材料一期產(chǎn)能為1萬片/年，已簽訂千萬級合同

河北發(fā)力第三代半導體！加快6英寸SiC/GaN外延量產(chǎn)化進程

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