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北大教授：后摩爾時代，集成電路技術的4個發(fā)展方向

蘇州大學揭建勝教授團隊提出有機半導體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

天津大學李立強教授課題組：有機晶體管新進展—實現(xiàn)五年長壽命

郭浩中教授、劉新科研究團隊在Micro-LED背光模組研究中獲得新進展，均勻度性能提升32%

十年磨一劍！中山大學王鋼教授團隊研究成果登上“科創(chuàng)中國”先導技術榜

清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

華中科技大學教授陳明祥將出席2022第三代半導體器件與封裝技術產(chǎn)業(yè)高峰論壇

西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展

中國人大陳珊珊教授團隊在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進展

晶體材料實驗室陶緒堂教授團隊在鹵化物鈣鈦礦單晶生長及應用方面取得系列新成果

成都岷山功率半導體技術研究院成立，張波教授任專家委員會理事長

華南理工大學李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術大學副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺

北京大學物理學院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質PVT生長研究

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

廈門大學校長張榮教授：寬禁帶半導體全面支撐光電子技術的可持續(xù)發(fā)展

日本德島大學教授敖金平：轉換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

加拿大多倫多大學教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅動器

美國康奈爾大學教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

復旦大學特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進展

美國電力首席執(zhí)行官Victor VELIADIS教授：碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙

西安電子科技大學張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術

美國俄亥俄州立大學Anant AGARWAL 教授：碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討

中國工程院院士周濟教授將出席IFWS&SSLCHINA2021

祝賀！清華大學電子工程系羅毅教授當選為中國工程院院士

中科院院士江風益教授將出席IFWS&SSLCHINA2021

中科大在日盲紫外探測領域取得新進展

瑞典皇家理工學院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling將出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大會報告

南方科技大學孫小衛(wèi)教授團隊通過噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長的量子點發(fā)光二極管

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