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浪潮華光參與制定的國家標準《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布

臺灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項目落戶無錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項目

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競購者報價1.3億歐元

香港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標2027年產(chǎn)能1萬片

第三代半導(dǎo)體中“慢半拍”的氮化鎵掀起并購熱

清華大學(xué)功率半導(dǎo)體用氮化硅基板燒結(jié)裝備研制項目簽約湖南企業(yè)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯演化機制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進展

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

廣東微納院半導(dǎo)體微納加工中試平臺通線，具有8英寸硅晶圓和氮化鎵晶圓加工能力

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

鼎龍股份：多晶硅拋光液及氮化硅拋光液產(chǎn)品獲千萬元級批量訂單

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

北京大學(xué)申請金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

CASICON晶體大會平行論壇2：追蹤氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用進展

CASICON晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

名古屋大學(xué)天野浩團隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

CASICON晶體大會前瞻 |中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強：氮化物位錯演化及控制研究

總投資10億元，氮化硅材料項目簽約落地浙江桐鄉(xiāng)

CASICON晶體大會前瞻 |西安交通大學(xué)李強：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

萊特光電申請含氮化合物及有機電致發(fā)光器件和電子裝置專利

科學(xué)家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

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