亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<menu id="kgi0e"><center id="kgi0e"></center></menu>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

山東大學(xué)教授陳秀芳：大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備

華工科技2022年營收凈利雙增 SiC襯底外觀缺陷檢測設(shè)備實現(xiàn)國產(chǎn)替代應(yīng)用

IFWS：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿研究

現(xiàn)場火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)論壇召開

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進(jìn)展

開年重要碳化硅半導(dǎo)體論壇！直擊碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿進(jìn)展

碳化硅襯底公司乾晶半導(dǎo)體完成億元Pre-A輪融資

東尼電子簽訂6 英寸碳化硅襯底合同總額6億元

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會日程出爐

山東大學(xué)襯底倒角機采購競爭性磋商公告

超芯星半導(dǎo)體完成億元B輪融資 6英寸碳化硅襯底已量產(chǎn)

青禾晶元天津復(fù)合襯底產(chǎn)線投入使用

碳化硅襯底價格2022年下降了15%

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅襯底制造技術(shù)達(dá)成合作

意法半導(dǎo)體與Soitec的下個目標(biāo)：8英寸碳化硅襯底！

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告

中鎵半導(dǎo)體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

Yole：化合物半導(dǎo)體襯底市場2027年體量將達(dá)到24億美元

技術(shù)轉(zhuǎn)化項目發(fā)布：英寸級單晶金剛石襯底及其關(guān)鍵設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化

天科合達(dá)發(fā)布8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片

總投資7億元！青島華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項目迎新進(jìn)展

士蘭微：IGBT產(chǎn)能緊張在于襯底片供應(yīng)不足

河北淶源經(jīng)濟開發(fā)區(qū)標(biāo)準(zhǔn)化科創(chuàng)園項目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標(biāo)準(zhǔn)廠房項目一期全過程審計服務(wù)公開招標(biāo)公告

露笑科技碳化硅襯底業(yè)務(wù)有望厚積薄發(fā)

西安交大王宏興教授團(tuán)隊在單晶金剛石襯底技術(shù)產(chǎn)業(yè)化上取得重大進(jìn)展

《硅襯底藍(lán)光小功率發(fā)光二極管芯片詳細(xì)規(guī)范》等四項硅襯底LED行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

第6頁/共11頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<tbody id="0caqk"><strong id="0caqk"></strong></tbody>

<menu id="0caqk"></menu>

<rt id="0caqk"><em id="0caqk"></em></rt>

<tbody id="0caqk"></tbody>

<dl id="0caqk"><abbr id="0caqk"></abbr></dl>

<menu id="0caqk"></menu>

<tfoot id="0caqk"><abbr id="0caqk"></abbr></tfoot>

<nav id="0caqk"><dl id="0caqk"></dl></nav>