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SA：2021年智能手機(jī)Wi-Fi芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)43億美元

日本芯片制造設(shè)備2021年銷(xiāo)量挑戰(zhàn)歷史新高

2021年全球MCU行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局與發(fā)展趨勢(shì)分析

簽約、開(kāi)工、投產(chǎn)... 2021年一批存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目上馬

2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇在深圳成功召開(kāi)

IC insights：代工市場(chǎng)有望在 2021 年實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)

最新日程出爐！2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇將于9月28日在深圳召開(kāi)！

《知識(shí)產(chǎn)權(quán)強(qiáng)國(guó)建設(shè)綱要（2021－2035年）》：完善集成電路布圖設(shè)計(jì)法規(guī)

2021第22屆中國(guó)國(guó)際機(jī)電產(chǎn)品博覽會(huì)9月23日盛大開(kāi)幕

【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢(shì)和挑戰(zhàn)

日程出爐！2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇將于9月28日在深圳召開(kāi)

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開(kāi)關(guān)特性研究

【CASICON 2021】安徽芯塔電子科技倪煒江：高性能高壓SiC器件設(shè)計(jì)與技術(shù)

【CASICON 2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強(qiáng)：碳化硅MOSFET技術(shù)問(wèn)題及55所產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】廈門(mén)大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術(shù)

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過(guò)壓開(kāi)關(guān)中的魯棒性

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

【CASICON 2021】南京航空航天大學(xué)張之梁：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用

CASICON 2021：2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)最新看點(diǎn)

【CASICON 2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)

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