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西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN
HEMT
s
評論 ?
2021-12-22 16:28
中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基
HEMT
與選區(qū)外延技術研究
評論 ?
2021-12-14 14:47
韓國Wavice Inc首席技術官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN
HEMT
器件的性能和可靠性
評論 ?
2021-12-14 14:39
中國科技大學Alsaman A. amgad：
HEMT
器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性
評論 ?
2021-12-14 14:34
西交利物浦大學王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-
HEMT
評論 ?
2021-12-13 11:47
電子科技大學李曦：GaN
HEMT
功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究
評論 ?
2021-12-13 11:29
IFWS 2021前瞻：中科院半導體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應用論壇
中科院
半導體研究所
副所長
張韻
亞毫米波段
GaN基
HEMT
評論 ?
2021-11-22 15:53
【CASICON 2021】南京大學徐尉宗：面向高可靠性、高能效應用的GaN
HEMT
增強型器件技術
評論 ?
2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】南京郵電大學張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡的AlGaN/GaN
HEMT
反向特性表征技術
評論 ?
2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學張宇昊:SiC MOSFET和GaN
HEMT
在過壓開關中的魯棒性
評論 ?
2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】西交利物浦大學劉雯：硅基GaN MIS-
HEMT
單片集成技術
評論 ?
2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】中國電科首席科學家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN
HEMT
微波功率器件
評論 ?
2021-09-14 09:51
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應用的GaN
HEMT
增強型器件技術
評論 ?
2021-09-10 10:21
快充僅是第三代半導體應用“磨刀石”，落地這一領域可每年省電40億度
英飛凌
第三代半導體
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模塊
GaN
HEMT
IGBT
評論 ?
2021-08-11 15:39
中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型
HEMT
電力電子器件
評論 ?
2020-12-16 18:13
中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵
HEMT
的失效分析研究
評論 ?
2020-12-11 16:17
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