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河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

評論 ? 2021-12-23 16:16

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯lGaN/GaN HEMTs

評論 ? 2021-12-22 16:28

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

評論 ? 2021-12-14 14:47

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

評論 ? 2021-12-14 14:39

中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

評論 ? 2021-12-14 14:34

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

評論 ? 2021-12-13 11:47

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

評論 ? 2021-12-13 11:29

HEMT

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)

評論 ? 2021-09-18 14:00

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

評論 ? 2021-09-16 14:54

【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

評論 ? 2021-09-16 11:56

【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)

評論 ? 2021-09-16 11:29

【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

評論 ? 2021-09-14 09:51

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強型器件技術(shù)

評論 ? 2021-09-10 10:21

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型HEMT電力電子器件

評論 ? 2020-12-16 18:13

中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵HEMT的失效分析研究

評論 ? 2020-12-11 16:17