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清純半導(dǎo)體SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證并通過(guò)HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

新品 | 世紀(jì)金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET正式發(fā)布！

聞泰科技：安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要包括Mosfet、邏輯與晶體管等

中電科實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)高壓碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)

銀河微電：目前汽車上應(yīng)用碳化硅MOSFET，該類器件目前仍在研發(fā)中

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

東芝推出第3代SiC MOSFET 面向更高效工業(yè)設(shè)備

芯塔電子推出新一代SiC MOSFET，性能達(dá)到國(guó)際一流水平

清純半導(dǎo)體推出車用SiC MOSFET產(chǎn)品，通過(guò)車企和Tier1廠商測(cè)試

東芝：第三代 SiC MOSFET計(jì)劃 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)

CASA聯(lián)盟發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗(yàn)/結(jié)殼熱阻測(cè)試2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)基南方SiC MOSFET首次獲得新能源汽車龍頭企業(yè)大批量訂單

東部高科將建8英寸SiC產(chǎn)線，目標(biāo)2025年供應(yīng)車用1200V SiC MOSFET

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

芯塔電子：加快創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，SiC MOSFET助力中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

安森美發(fā)布全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

MOSFET器件選型的3大法則

清純半導(dǎo)體推出首款國(guó)產(chǎn)15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

聞泰科技披露三大業(yè)務(wù)板塊進(jìn)展：安世半導(dǎo)體已研發(fā)出中高壓MOSFET新產(chǎn)品

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

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