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應(yīng)用
納微推出TOLL封裝版第三代快速碳化硅
MOSFET
s,專為AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等大功率場景打造
評論 ?
2024-08-13 11:39
CASA立項SiC
MOSFET
動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗方法2項團體標準
評論 ?
2024-08-08 16:21
華羿微電“新型功率
MOSFET
器件及其制備方法”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-08-07 09:31
華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵
MOSFET
器件及其制作方法”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-08-06 14:07
華羿微電申請高性能
MOSFET
功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利,降低功率器件制造成本
評論 ?
2024-08-05 17:20
標準| SiC
MOSFET
閾值電壓等9項技術(shù)標準形成征求意見稿
評論 ?
2024-08-02 16:51
華潤微:目前產(chǎn)能利用率滿載,已對部分
MOSFET
、IGBT等產(chǎn)品加價
評論 ?
2024-07-31 17:17
派恩杰“集成ESD的SiC功率
MOSFET
器件及制備方法”專利獲授權(quán)
評論 ?
2024-07-31 10:05
SiC
MOSFET
閾值電壓等9項技術(shù)標準形成征求意見稿
評論 ?
2024-07-22 13:51
揚杰科技申請降低柵極電容的 SiC
MOSFET
及制備方法專利,降低 SiC
MOSFET
柵極電容
評論 ?
2024-07-18 16:20
芯聚能“碳化硅
MOSFET
器件及其制備方法”專利公布
評論 ?
2024-07-11 17:27
芯聚能“碳化硅
MOSFET
器件及其制備方法”專利公布
評論 ?
2024-07-08 13:24
銀河微電申請SiC
MOSFET
板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法專利,設(shè)計效率高
評論 ?
2024-07-04 10:43
瞻芯電子第三代1200V SiC
MOSFET
工藝平臺正式量產(chǎn)
評論 ?
2024-06-25 16:13
納微發(fā)布第三代快速碳化硅
MOSFET
s, 促進AI數(shù)據(jù)中心功率提升,加快電動汽車充電速度
評論 ?
2024-06-11 17:17
昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC
MOSFET
評論 ?
2024-05-10 16:37
CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜:SiC
MOSFET
浪涌可靠性的研究
評論 ?
2024-04-22 11:54
CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅:SiC
MOSFET
過流保護技術(shù)分析與研發(fā)
評論 ?
2024-04-18 13:37
納芯微發(fā)布首款1200V SiC
MOSFET
評論 ?
2024-04-17 15:39
CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行:碳化硅功率
MOSFET
器件及其可靠性研究
評論 ?
2024-04-16 15:24
CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平:碳化硅
MOSFET
動態(tài)閾值漂移
評論 ?
2024-04-16 15:16
CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進:如何使GaN功率器件如Si
MOSFET
一樣簡單易用?
評論 ?
2024-04-15 16:35
芯聯(lián)集成:2024年公司還將計劃建成國內(nèi)首條8英寸SiC
MOSFET
試驗線
評論 ?
2024-03-28 17:32
廣電計量申請SiC
MOSFET
體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利,提高了老化效率,加速了雙極退化
評論 ?
2024-03-28 12:01
宏微科技取得電動汽車用IGBT或
MOSFET
版圖結(jié)構(gòu)專利,IGBT或
MOSFET
的芯片尺寸可大大減小
評論 ?
2024-03-25 15:00
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC?
MOSFET
G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)
評論 ?
2024-03-11 18:05
瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC
MOSFET
產(chǎn)品
評論 ?
2024-03-11 13:36
國基南方、55所:加速碳化硅
MOSFET
技術(shù)攻關(guān),打造汽車電子中國“芯”
評論 ?
2024-02-29 15:10
芯導(dǎo)科技申請Trench
MOSFET
器件的自對準的制備方法專利,進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸
評論 ?
2024-02-28 17:32
北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂?span id="yakmwoy" class="highlight">MOSFET器件及其制備方法專利,能夠降低器件的溝道電阻
評論 ?
2024-02-06 14:15
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