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至芯半導(dǎo)體重磅發(fā)布全新V1版UVC-LED芯片@BeyondUV?

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)：第三代半導(dǎo)體需求推動(dòng)碳化硅材料快速發(fā)展

EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

新微半導(dǎo)體推出850nm 10G VCSEL工藝平臺(tái)，面向廣泛的數(shù)通應(yīng)用

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專(zhuān)利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

雙成藥業(yè)籌劃重大資產(chǎn)重組：擬注入芯片業(yè)務(wù)，提升公司經(jīng)營(yíng)質(zhì)量

科友半導(dǎo)體認(rèn)定黑龍江省第六批專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專(zhuān)利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過(guò)大形成底切結(jié)構(gòu)

英諾激光：公司已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)碳化硅退火制程的激光器

Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

立昂晶電：實(shí)現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評(píng)雛鷹企業(yè)

國(guó)博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預(yù)計(jì)下半年開(kāi)發(fā)并應(yīng)用新一代的產(chǎn)品

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

華潤(rùn)微推出寬SOA系列MOSFET產(chǎn)品

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專(zhuān)利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

福建平潭瑞謙智能科技取得一種用于半導(dǎo)體模塊封裝的視覺(jué)檢測(cè)設(shè)備專(zhuān)利

凱世通半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)集成電路上下游企業(yè)簽訂戰(zhàn)略合作

北方華創(chuàng)：公司自研射頻電源已批量應(yīng)用于多款產(chǎn)品

6座晶圓廠，開(kāi)建！

半導(dǎo)體突發(fā)！ASML發(fā)布聲明

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級(jí)

比亞迪公布深圳全球研發(fā)中心規(guī)劃總投資200億元

美國(guó)ITC發(fā)布對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備及其下游產(chǎn)品的337部分終裁

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)SiC領(lǐng)域合作

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