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聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

國星光電子公司風(fēng)華芯電成功開發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

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從安森美幾款硬核功率產(chǎn)品，洞悉最新技術(shù)趨勢

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作

晶湛半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶

聯(lián)華電子申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

天岳先進向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

納視智能完成數(shù)百萬種子輪融資

晶科電子赴港上市吸引超5000倍超額認(rèn)購，為何吸引如此多投資者申購呢？

晶盛機電：實現(xiàn)8-12英寸半導(dǎo)體大硅片設(shè)備的國產(chǎn)化突破

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

南京南瑞半導(dǎo)體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

安徽長飛先進半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

中微半導(dǎo)體設(shè)備申請雙腔處理系統(tǒng)及氣體供應(yīng)方法專利

上海漢虹申請一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動蝶閥專利

長光華芯“半導(dǎo)體材料生長速率的測試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

英特爾俄亥俄州晶圓廠新進展

利亞德斬獲廣東省科技進步一等獎

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重慶芯聯(lián)微電子申請掩膜版圖形及其優(yōu)化方法專利，解決集成電路版圖工藝缺陷

粵芯半導(dǎo)體申請光刻機對準(zhǔn)方法專利，平衡晶圓中切割道與芯片的研磨速率

長鑫存儲申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

時的科技完成數(shù)億元B輪融資，將在蕪湖建總裝制造工廠

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

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