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臺(tái)積電高雄首座2nm晶圓廠即將完工，2025年量產(chǎn)

電子工藝裝備收入增長(zhǎng)，北方華創(chuàng)前三季度營(yíng)收同比增加39.51%

電裝與羅姆達(dá)成共識(shí)，探討在半導(dǎo)體領(lǐng)域建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系

納芯微與大陸集團(tuán)合作，聯(lián)合開(kāi)發(fā)汽車(chē)壓力傳感器芯片

TCL科技前三季度營(yíng)收1230.28億元歸母凈利潤(rùn)15.25億元

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專(zhuān)利公布

智芯微“用于電源監(jiān)測(cè)的嵌入式系統(tǒng)、解碼方法和解碼芯片”專(zhuān)利公布

盛美臨港研發(fā)與制造中心首臺(tái)量測(cè)設(shè)備KLA-Tencor Surfscan SP7入駐

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

大眾擬關(guān)閉德國(guó)至少三家工廠，裁員數(shù)萬(wàn)人

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專(zhuān)利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

合肥晶合集成電路申請(qǐng)一種半導(dǎo)體器件的制作方法專(zhuān)利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專(zhuān)利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

投資33億美元豐田與NTT合作開(kāi)發(fā)AI自動(dòng)駕駛技術(shù)

山東粵海金半導(dǎo)體取得專(zhuān)用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專(zhuān)利，可實(shí)現(xiàn)自由設(shè)計(jì)倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專(zhuān)利，拋光效率高

全球功率半導(dǎo)體龍頭聞泰科技：三季報(bào)強(qiáng)勢(shì)翻盤(pán)，盈利能力持續(xù)提升

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專(zhuān)利獲授權(quán)

深科達(dá)：擬收購(gòu)深科達(dá)半導(dǎo)體少數(shù)股東所持40%的股權(quán)

東芝計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的電源芯片市場(chǎng)份額

蘇州敏芯微電子申請(qǐng)力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專(zhuān)利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問(wèn)題

蘇州高視半導(dǎo)體申請(qǐng)基于晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的晶圓檢測(cè)方法專(zhuān)利，降低晶圓缺陷的檢測(cè)成本

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

中芯國(guó)際申請(qǐng)光刻機(jī)焦距監(jiān)控相關(guān)專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)在線焦距監(jiān)控且對(duì)產(chǎn)品晶圓圖形影響小

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售

華燦光電前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收29.53億元，虧損達(dá)3.6億元

蜂巢能源將于2025年1月關(guān)閉歐洲業(yè)務(wù)

英特爾宣布擴(kuò)容英特爾成都封裝測(cè)試基地

一文解開(kāi)遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

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