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華海清科“驅動機構的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質”專利公布

北方華創(chuàng)“一種進氣管的清洗方法及半導體工藝設備”專利公布

精測電子收購芯盛智能11.93%股權發(fā)力存儲測試裝備領域

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設計更簡單

中國電科原副總經(jīng)理何文忠被逮捕

Wolfspeed擱置在德國建半導體工廠的計劃

上海華虹宏力申請接觸孔自對準的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利，采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應用，且應用技術已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

英特爾將在日本新建芯片研發(fā)中心

采埃孚與Wolfspeed芯片項目或告吹德國工業(yè)復蘇再受打擊

首期規(guī)模120億元，武漢“江城基金”聚焦泛半導體產(chǎn)業(yè)

東風汽車已完成3款車規(guī)級芯片流片

Infinera獲美國《芯片法案》9300萬美元資助

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測基板”專利獲授權

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測電路”專利獲授權

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側邊緣的生長速率相一致

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遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

國產(chǎn)芯片！紅旗發(fā)布了首臺1700V超高壓碳化硅功率模塊樣品

長電科技“腔體式封裝結構及封裝方法”專利獲授權

三星解散LED業(yè)務，但仍繼續(xù)研發(fā)Micro LED

和研科技設備入選遼寧省首臺(套)目錄

武漢新芯取得清洗裝置及半導體制造設備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調節(jié)對位系統(tǒng)及方法”專利獲授權

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