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氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說丨化合物半導(dǎo)體器件的三大方向進展

埃米儀器獲數(shù)千萬元Pre-A輪融資

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展?| IFWS&SSLCHINA2024

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

姚威振：新型MOCVD反應(yīng)器設(shè)計，促進GaN材料創(chuàng)新發(fā)展 | IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

擬投資14億！佳麗美半導(dǎo)體電子分立器件制造總部項目簽約落戶丹灶

第十七屆誠邀提名 | “2024年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”重磅開啟！

國宇電子功率器件項目簽約揚州

國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

北京量子院徐洪起團隊在半導(dǎo)體耦合多量子點器件研究中取得進展

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

牛津儀器邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐|IFWS 2024前瞻

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

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