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江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

中圖科技申請(qǐng)一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

西安奕斯偉材料申請(qǐng)用于外延設(shè)備的處理方法專利

蘇州科陽半導(dǎo)體取得晶圓封裝相關(guān)專利

武漢凡谷獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“天線振子及天線”

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

武漢凡谷取得用于兩端面形狀不同的桿類部件的正反向識(shí)別輸送裝置專利

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

河北同光半導(dǎo)體取得超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

福建泓光半導(dǎo)體材料取得一種光刻膠自動(dòng)過濾裝置專利，提高工作效率

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置”專利公布

利普思半導(dǎo)體“一種功率模塊結(jié)構(gòu)”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

華光光電申請(qǐng)一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權(quán)

憶芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

中欣晶圓“12寸退火片的制造方法”專利公布

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

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