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CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

晶合集成：汽車電子芯片研發(fā)取得進(jìn)展通過(guò)汽車12.8英寸顯示屏總成可靠性測(cè)試

標(biāo)準(zhǔn) | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

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清純半導(dǎo)體SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證并通過(guò)HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

高可靠性電容式硅麥克風(fēng)在車載中的應(yīng)用

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

GaN功率半導(dǎo)體的可靠性挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)之策

韓國(guó)Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

八位嘉賓前沿報(bào)告分享！半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性論壇圓滿召開(kāi)

SSLCHINA 2021：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性論壇圓滿召開(kāi)

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性最新日程出爐

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動(dòng)態(tài)可靠性研究

【CASICON 2021】東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展

CASICON 2021前瞻：復(fù)旦大學(xué)青年研究員樊嘉杰將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

電子科技大學(xué)教授鄧小川將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì) 分享極端應(yīng)力下SiC MOSFET器件動(dòng)態(tài)可靠性研究進(jìn)展

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性的影響

自動(dòng)駕駛芯片需求激增，可靠性如何保證？

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