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我國研究者開發(fā)AlNO新型緩沖層，提升綠光LED效率方面獲重大進展

重慶永川成功研發(fā)無輻射遠距離無線供電發(fā)射芯片，充電效率可達80%以上

Wolfspeed CEO：碳化硅 SiC 開啟能源效率新時代

鎵未來推出圖騰柱PFC+LLC量產(chǎn)電源方案：內(nèi)置氮化鎵，700W輸出效率高

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

GaN Systems和徐州金沙江半導(dǎo)體共同展示GaN在提高數(shù)據(jù)中心效率和盈利能力方面的巨大優(yōu)勢

中環(huán)股份2021年凈利40.2億元，單臺爐產(chǎn)效率業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！

又要漲價！英飛凌：成本增加到已無法通過提高內(nèi)部效率來吸收

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小效率更高的工業(yè)設(shè)備

世界紀錄效率！南京大學(xué)現(xiàn)工院譚海仁團隊在《Nature》發(fā)文報道全鈣鈦礦疊層電池重要研究進展

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

北京大學(xué)王柳冰：通過引入透明復(fù)合p型層和Ag納米點/Al反射電極相結(jié)合提高深紫外LED的光提取效率

黃勁松最新Science：穩(wěn)定基底界面！高效率鈣鈦礦光伏組件

半導(dǎo)體技術(shù)可實現(xiàn)最高效率并顯著節(jié)省CO2

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結(jié)功率MOSFET 助力提高大電流設(shè)備的效率

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無位錯多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線

廈門大學(xué)蔡端俊:氯離子局域場驅(qū)動的快速除氫p型增強技術(shù)及深紫外LED效率提升

南京大學(xué)劉斌：具有GaN隧道結(jié)的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備

體積更小效率更高5G時代第三代半導(dǎo)體功率器件顯身手

東芝推出1200V碳化硅MOSFET！適用于高效率電源

技術(shù) | 20 VIN、8 A高效率微型封裝降壓型μModule器件

直接通過汽車電池輸入進行DC-DC轉(zhuǎn)換：5 A、3.3 V和5 V電源符合嚴格的EMI輻射標準

GaN 將能源效率推升至新高度

采用Wolfspeed 第三代 650V SiC MOSFET，突破電源效率屏障

CS83702 單節(jié)鋰電3.7V內(nèi)置升壓18W/2歐單聲道音頻功放IC解決方案

意法半導(dǎo)體為STM32Cube?生態(tài)系統(tǒng)增添新功能，提高軟件開發(fā)效率

InGaN μLED外部量子效率改進最新研究成果有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸

LTC7803 或先進電源便捷設(shè)計之路

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