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豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

應(yīng)用材料40億美元研發(fā)中心項目的美國芯片法案撥款申請遭拒

華光光電申請一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

揚杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

中芯集成-U 申請 MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法專利，設(shè)計效率高

北京大學(xué)申請金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

長光華芯申請高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專利，有效提高評估結(jié)果準確度

新瑞昕申請新三板掛牌：專注于高端精密線鋸及金剛石切削工具的研發(fā)與制造

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

突發(fā)！封測大廠被申請破產(chǎn)清算

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

萊特光電申請含氮化合物及有機電致發(fā)光器件和電子裝置專利

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

清華大學(xué)申請半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

北京大學(xué)申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

華為公司申請半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

晶合集成申請半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件的性能

長鑫存儲申請晶圓級封裝方法專利，提高晶圓封裝的良率

比亞迪半導(dǎo)體申請終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

海信家電申請半導(dǎo)體裝置專利，降低半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)成本

東微半導(dǎo)申請氮化鎵器件及其制造方法專利，提供一種氮化鎵器件

揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

比亞迪半導(dǎo)體申請逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負阻效應(yīng)，提高器件性能

芯導(dǎo)科技申請TrenchMOSFET器件的自對準的制備方法專利，進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

晶合集成申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

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