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立昂晶電：實現(xiàn)磷化銦半導體材料技術突破獲評雛鷹企業(yè)

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質外延Micro-LED”取得新突破

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

突破！鴻海布局第四代半導體跨大步

北京理工大學團隊在雜化范德華外延生長研究方向取得重要突破

國內高校實現(xiàn)Micro LED技術突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運算器件領域取得重要突破

寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

廈門市未來顯示技術研究院：突破“屏”頸競逐未來顯示新賽道

新突破︱鎵仁半導體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

三安光電突破氮化鎵芯片產業(yè)化難題

歷史性突破！西安電子科技大學集成電路學部馬曉華教授牽頭項目榮獲2023年度國家科技進步一等獎

積塔半導體BCD復合高壓隔離器平臺開發(fā)團隊：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國科學家在半導體領域獲突破登上《自然》雜志

芯達半導體簽約，實現(xiàn)國產設備“零突破”！

Nano Lett.∣高效載流子倍增實現(xiàn)紫外光電探測器EQE突破

銘鎵半導體在氧化鎵材料開發(fā)及應用產業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

808nm高功率半導體激光芯片取得重大突破

科友半導體碳化硅晶體厚度突破80mm！

中科院金屬研究所二維半導體器件研究獲得重要突破

功率半導體市場騰飛，價值突破550億美元

華虹半導體一季度研發(fā)費用穩(wěn)步增長產能利用率突破90%

我國高性能光子芯片領域取得突破可批量制造！

技術進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

ASML High-NA EUV光刻機取得突破，成功印刷10nm線寬圖案

青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

世紀金芯宣布實現(xiàn)了8英寸SiC關鍵技術突破！

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