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現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門，原計(jì)劃自研5nm芯片

從0到1，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片項(xiàng)目成功通線

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

總投資10億元，民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目一期投產(chǎn)！

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開工建設(shè)

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

總投資1.2億湖州奕富半導(dǎo)體研磨裝備國產(chǎn)化項(xiàng)目簽約，

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會(huì)完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場

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