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派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

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成都士蘭半導體申請半導體外延結構及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應

深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術問題

河北同光半導體申請具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

無錫錕芯半導體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標采購項目公開招標公告

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風險

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權

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