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浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利，有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問(wèn)題，提高產(chǎn)量

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會(huì)完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國(guó)首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場(chǎng)

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

中科飛測(cè)第1000臺(tái)集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機(jī)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

中微公司宣布成功從美國(guó)國(guó)防部中國(guó)軍事企業(yè)清單中移除

博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

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