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半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)

Nature Photonics | 基于深紫外microLED顯示的無(wú)掩膜光刻技術(shù)與應(yīng)用示范

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團(tuán)隊(duì)研發(fā)基于全無(wú)機(jī)鈣鈦礦的多功能集成光子器件

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

中國(guó)科學(xué)家提出基于信號(hào)關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測(cè)器

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

科研新進(jìn)展 | 廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

天津大學(xué)在硅基頻率源技術(shù)方面取得系列成果

南京大學(xué)在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

簡(jiǎn)述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測(cè)研究

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