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基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

中國科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

國際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測(cè)獲進(jìn)展

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

電動(dòng)車直流充電基礎(chǔ)設(shè)施如何實(shí)現(xiàn)快速充電？

中科院物理所在集成有亞波長光柵的臺(tái)面型InGaAs基短波紅外偏振探測(cè)器取得進(jìn)展

河工大張紫輝團(tuán)隊(duì)在GaN基Micro-LED方面獲得新進(jìn)展

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器取得進(jìn)展

長平時(shí)代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

日本東京大學(xué)開發(fā)出新一代半導(dǎo)體加工技術(shù) 封裝基板布線用孔降至6微米以下

基于SiC的電動(dòng)汽車用純電驅(qū)動(dòng)單元研究

上海交大吳泳澎教授課題組在6G基礎(chǔ)研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

基于范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電荷采樣光電探測(cè)器

清華團(tuán)隊(duì)基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實(shí)現(xiàn)熱/電整流

清華團(tuán)隊(duì)基于二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)首次同步實(shí)現(xiàn)熱/電整流

中山大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器

國際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗(yàn)

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

解析電子封裝陶瓷基板

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

上海微系統(tǒng)所等實(shí)現(xiàn)硅基異質(zhì)集成的片上量子點(diǎn)發(fā)光

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