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杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法腐蝕坑密度測(cè)量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

總投資30億元！盤古半導(dǎo)體多芯片高密度板級(jí)扇出先進(jìn)封裝項(xiàng)目喜封金頂

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)第二次公示

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布

興航科技高可靠高密度封裝項(xiàng)目通線投產(chǎn)

興航科技半導(dǎo)體芯片高可靠高密度封裝項(xiàng)目投產(chǎn)

國(guó)內(nèi)首個(gè)6.5千伏碳化硅器件及高功率密度電力電子變壓器通過(guò)技術(shù)鑒定

盛合晶微超高密度互聯(lián)三維多芯片集成封裝項(xiàng)目暨J2C廠房開(kāi)工

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

甬矽電子擬投資建設(shè)高密度及混合集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目

鈦金Plus！納微超高功率密度CPRS185 3.2kW服務(wù)器電源方案全解析

長(zhǎng)電科技面向5G射頻功放推出的高密度異構(gòu)集成SiP解決方案即將在國(guó)內(nèi)大規(guī)模量產(chǎn)

泰克攜手芯源系統(tǒng)(MPS)助力高效率高功率密度電源應(yīng)用

郝躍院士：功率密度與輻照問(wèn)題是氮化物半導(dǎo)體的兩大挑戰(zhàn)

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長(zhǎng)電科技：年產(chǎn)100億塊通信用高密度混合集成電路及模塊封裝項(xiàng)目部分產(chǎn)線開(kāi)始小批量驗(yàn)證生產(chǎn)

投資30億元的高密度倒裝芯片項(xiàng)目進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段

北京大學(xué)集成電路學(xué)院高密度等離子刻蝕系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

廣汽埃安超高性能SiC電驅(qū)成功下線，功率密度國(guó)內(nèi)領(lǐng)先

SIP集成電路高端制造項(xiàng)目、南亞新一代高精密度IC載板項(xiàng)目簽約昆山開(kāi)發(fā)區(qū)

南亞新一代高精密度IC載板、嘉聯(lián)益電子高頻高速智能化5G天線等9大項(xiàng)目落地昆山

芯碩半導(dǎo)體項(xiàng)目、普諾威高密度互聯(lián)載板（mSAP）項(xiàng)目簽約落地蘇州昆山

滬電股份：暫緩新建應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片測(cè)試及高層高密度互連積層板研發(fā)與制造項(xiàng)目

云南鍺業(yè)：以大直徑低位錯(cuò)密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應(yīng)用為重點(diǎn)研究方向

長(zhǎng)電科技：年產(chǎn)36億顆高密度集成電路及系統(tǒng)級(jí)封裝模塊項(xiàng)目已開(kāi)始小批量試生產(chǎn)

中鎵半導(dǎo)體：低位錯(cuò)密度氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)

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