亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<label id="ncxvd"><dl id="ncxvd"></dl></label>

<mark id="ncxvd"></mark>

<samp id="ncxvd"></samp>

<pre id="ncxvd"><th id="ncxvd"></th></pre>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

SiC基GaN射頻器件：國防航天航空之利器

意法半導體推出了新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

日本研發(fā)基于GaN的MEMS諧振器可用于車載應用

鎢觸點改善了 GaN 二極管

蘋果將推出 GaN 電源適配器？

沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學Iman S. ROQAN：原位無位錯多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線

中山大學黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向導通晶體管電學特性的影響研究

電子科技大學教授周琦：基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質結與混合陽極二極管技術的功率整流器與微波混頻器

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型HEMT電力電子器件

南方科技大學于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關鍵技術研究進展

西安電子科技大學李楊：用于無線充電和功率傳輸?shù)幕?span id="lsymsgq" class="highlight">GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

南方科技大學汪青：Si基GaN射頻器件的關鍵技術研究進展

中電化合物半導體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進展

復旦大學田朋飛：基于GaN的可用于固態(tài)照明、顯示和雙向可見光通信的多功能器件

深圳大學劉新科：大面積MoS2-on-GaN范德華異質結的光子器件應用

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展

南京大學劉斌：具有GaN隧道結的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備

天津工業(yè)大學于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析

美國康奈爾大學Huili Grace XING:GaN電力電子及其基本極限

英諾賽科駱薇薇：時代 “芯”機 “GaN”想“GaN”干

2027年全球GaN半導體器件市場規(guī)模預計或將達408億元

提速5G商用化江蘇省攻關“氮化鎵（GaN）毫米波功率放大器”芯片！

2020年全球GaN充電器市場規(guī)模將達23億元

Transphorm推出4 kW模擬控制無橋圖騰柱GaN評估板

Transphorm的第二款900 V GaN FET現(xiàn)已投入生產(chǎn)

GaN器件的直接驅動配置

GaN 將能源效率推升至新高度

2020年Q2的SiC、GaN電力電子產(chǎn)品最新進展

百瓦快充時代來臨 GaN產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來發(fā)展機遇

Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ，拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

第10頁/共11頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部