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浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級別集成

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上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

中科飛測第1000臺(tái)集成電路質(zhì)量控制設(shè)備出機(jī)

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

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博世獲16億元補(bǔ)貼，將投138億元發(fā)力8英寸SiC芯片！

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