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氮化
鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資,由歌爾股份領(lǐng)投
蘇州
晶湛半導(dǎo)體
B+輪
戰(zhàn)略融資
氮化鎵
外延材料
歌爾股份
高瓴創(chuàng)投
惠友資本
創(chuàng)新工場
禾創(chuàng)致遠(yuǎn)
評論 ?
2022-03-03 09:13
三安光電:硅基
氮化
鎵完成約60家客戶工程送樣及系統(tǒng)驗證,24家進(jìn)入量產(chǎn)階段
評論 ?
2022-03-02 11:23
東科半導(dǎo)體馬鞍山
氮化
鎵項目預(yù)計3月底完工
評論 ?
2022-02-24 16:23
芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%,
氮化
鎵業(yè)務(wù)及研究有進(jìn)展
評論 ?
2022-02-24 15:45
擁有超1000項專利組合,全球再添一家
氮化
鎵企業(yè)上市
評論 ?
2022-02-23 11:14
“東數(shù)西算”工程全面啟動,數(shù)據(jù)中心建設(shè)驅(qū)動
氮化
鎵需求爆發(fā)
東數(shù)西算
數(shù)據(jù)中心
氮化鎵
第三代半導(dǎo)體
評論 ?
2022-02-23 07:42
國星光電:
氮化
鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,十億擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能正逐步釋放
國星光電
氮化鎵
碳化硅
器件
產(chǎn)業(yè)化
擴(kuò)產(chǎn)
產(chǎn)能正
評論 ?
2022-02-23 07:33
中鎵半導(dǎo)體:低位錯密度
氮化
鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售
中鎵半導(dǎo)體
低位錯密度
2英寸
氮化鎵
自支撐
襯底
評論 ?
2022-02-23 07:27
北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示
氮化
物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運機(jī)制
評論 ?
2022-02-22 11:41
中瓷電子切入
氮化
鎵賽道打開第二成長曲線
評論 ?
2022-02-21 08:54
氮化
鎵領(lǐng)先企業(yè)“英諾賽科”完成近30億元D輪融資
評論 ?
2022-02-18 08:42
河南十四五將加快發(fā)展碳化硅、
氮化
鎵、砷化鎵等第三代半導(dǎo)體材料
評論 ?
2022-02-17 13:48
河南:積極布局發(fā)展以碳化硅、
氮化
鎵為重點的第三代半導(dǎo)體材料
評論 ?
2022-02-17 10:08
中國人大陳珊珊教授團(tuán)隊在寬帶隙超薄二維
氮化
鎵的可控制備方面獲新進(jìn)展
評論 ?
2022-02-16 15:59
羅姆:新一代半導(dǎo)體的
氮化
鎵將在2022年春季之前量產(chǎn)
評論 ?
2022-02-16 15:25
日本羅姆量產(chǎn)5G基站用新一代
氮化
鎵功率半導(dǎo)體
日本
羅姆
量產(chǎn)
5G基站
新一代
氮化鎵
功率半導(dǎo)體
評論 ?
2022-02-11 08:33
中科院蘇州納米所團(tuán)隊在石墨烯調(diào)控的
氮化
鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展
評論 ?
2022-02-10 09:13
賽微電子:GaN(
氮化
鎵)制造產(chǎn)線正在建設(shè)中
評論 ?
2022-01-24 09:25
中瓷電子擬收購中電科十三所
氮化
鎵基站射頻芯片業(yè)務(wù)、博威集成和國聯(lián)萬眾部分股權(quán)或全部股權(quán)
評論 ?
2022-01-18 08:11
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對電動汽車的
氮化
鎵功率芯片設(shè)計中心
評論 ?
2022-01-17 16:52
碳化硅、
氮化
鎵企業(yè)大盤點 哪些標(biāo)的值得關(guān)注?
評論 ?
2022-01-05 15:16
DB HiTek 將采用硅基
氮化
鎵技術(shù)改進(jìn) 8 英寸半導(dǎo)體工藝
DB
HiTek
硅基
氮化鎵
8英寸
半導(dǎo)體工藝
評論 ?
2022-01-05 15:13
第三代半導(dǎo)體-
氮化
鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
GaN
產(chǎn)業(yè)鏈
基本形成
評論 ?
2021-12-29 15:57
聚燦光電與中科院半導(dǎo)體所開發(fā)高性能高光功率
氮化
物
評論 ?
2021-12-24 18:41
深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武紅磊:
氮化
鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究
評論 ?
2021-12-23 16:44
中科院蘇州納米研究所司志偉:助熔劑法
氮化
鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能
評論 ?
2021-12-23 16:38
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強(qiáng):無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性
氮化
鋁
評論 ?
2021-12-23 16:29
中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻:玻璃襯底
氮化
物異構(gòu)外延
評論 ?
2021-12-23 16:25
中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng):2英寸低位錯密度高電導(dǎo)率和半絕緣
氮化
鎵自支撐襯底的生長
評論 ?
2021-12-23 16:20
最新關(guān)注
氮化
物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展
評論 ?
2021-12-23 16:09
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