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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)林楷強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進(jìn)展

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

北京大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所黎大兵研究團(tuán)隊(duì)喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體研究所公開(kāi)一項(xiàng)集成光子芯片專利可提升光模塊性能

全球首顆！我國(guó)芯片領(lǐng)域取得重大突破！

九峰山實(shí)驗(yàn)室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測(cè)器

日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

廈大曹陽(yáng)教授團(tuán)隊(duì)在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應(yīng)性能研究方面取得進(jìn)展

北理工團(tuán)隊(duì)在室溫運(yùn)行中波紅外探測(cè)器研究方面取得突破性進(jìn)展

科研新進(jìn)展 | 廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

中國(guó)首個(gè)繆子源實(shí)驗(yàn)站即將開(kāi)建

上海技物所在片上紅外光電邏輯門(mén)智能芯片研究方面取得進(jìn)展

南開(kāi)團(tuán)隊(duì)在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進(jìn)展

清華發(fā)布新Nature，實(shí)現(xiàn)光電融合新突破！

我國(guó)芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破算力提升三千余倍

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

國(guó)際首次！南大團(tuán)隊(duì)將二維半導(dǎo)體集成電路推向千兆赫茲

深港微電子學(xué)院安豐偉課題組在圖像芯片領(lǐng)域取得新進(jìn)展

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開(kāi)發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

本源科儀國(guó)產(chǎn)量子芯片設(shè)計(jì)工業(yè)軟件Q-EDA完成第四次技術(shù)迭代

上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

長(zhǎng)春光機(jī)所和武漢大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)OEA | 深紫外LED高效消殺人類呼吸道RNA病毒

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