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北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

韓國2025年將豪擲25.5萬億韓元投資半導體、顯示器等先進產(chǎn)業(yè)

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達產(chǎn)

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結構及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設備正式進場

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

CSA半導體激光器專業(yè)委員會正式成立，并成功召開第一屆一次會議

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

日本國立材料研究所廖梅勇團隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展

氮化鎵功率電子器件技術進展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅動器

上應大科研團隊在光探測材料與器件領域取得重要進展！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

光谷筑芯微電子精密器件智造基地(首開區(qū)) 項目喜封金頂！

“2024年度（第十七屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質供應商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌評選”進入公眾投票階段

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

碳化硅功率器件及其封裝技術（二）|IFWS&SSLCHINA2024

專家說丨化合物半導體器件的三大方向進展

埃米儀器獲數(shù)千萬元Pre-A輪融資

碳化硅功率器件及其封裝技術發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破

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