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CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

會(huì)議邀請(qǐng)| 2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)將于6月21-23日濟(jì)南召開

定檔| 2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)6月21-23日濟(jì)南召開

以小晶體帶動(dòng)大產(chǎn)業(yè)，濟(jì)南晶谷研究院打造具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長(zhǎng)

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

品牌推薦│爍科晶體將亮相CSE化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

通美晶體入選第八批國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè) 引領(lǐng)磷化銦半導(dǎo)體材料發(fā)展新風(fēng)向

山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地藍(lán)寶石晶體已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

中機(jī)新材董事長(zhǎng)陳斌一行到訪山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)配件與制備耗材采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商采購(gòu)公告

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

國(guó)產(chǎn)碳化硅半導(dǎo)體材料企業(yè)的進(jìn)階樣本天岳先進(jìn)宗艷民：核心技術(shù)掌控在自己手中

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

湖南大學(xué)物電院劉淵教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究中取得新進(jìn)展

走進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)山西爍科晶體有限公司——“小晶片”釋放“大能量”

山東大學(xué)徐明升：金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測(cè)研究

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

天通股份：公司已掌握800公斤級(jí)C向藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)技術(shù)

我國(guó)成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等領(lǐng)域重大需求

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

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